【ソウル聯合ニュース】韓国のソウル高裁は１８日、半導体大手のＳＫハイニックスの技術を中国に流出させたなどとして産業技術保護法違反・不正競争防止法違反（営業秘密の国外漏洩など）の罪に問われた協力会社の副社長に対し、懲役１年６カ月を言い渡した。一審判決は懲役１年だった。

　また、一審で執行猶予とされた他の社員３人にも懲役１年～１年６カ月の実刑判決が言い渡された。協力会社の法人に対しては一審の罰金４億ウォ..

【ソウル聯合ニュース】韓国のソウル高裁は１８日、半導体大手のＳＫハイニックスの技術を中国に流出させたなどとして産業技術保護法違反・不正競争防止法違反（営業秘密の国外漏洩など）の罪に問われた協力会社の副社長に対し、懲役１年６カ月を言い渡した。一審判決は懲役１年だった。

　また、一審で執行猶予とされた他の社員３人にも懲役１年～１年６カ月の実刑判決が言い渡された。協力会社の法人に対しては一審の罰金４億ウォン（約４３７０万円）より重い罰金１０億ウォンとした。　

　刑が重くなったのは、ＳＫハイニックスと共同開発した技術情報を他の企業に渡したことを一審は無罪としたが、控訴審は有罪と判断したためだ。

　高裁は「被告人の犯行は被害を受けた企業だけでなく韓国の産業全般に大きな影響を及ぼした」とし、副社長は最終決定権者として犯行を主導し、深く関与したと指摘した。

　判決によると、被告らはＳＫハイニックスと協業する中で知り得たＨＫＭＧ半導体製造技術や洗浄方法など、先端技術や営業秘密を２０１８年ごろから中国の競合企業に流出させた。

　ＨＫＭＧは、漏電を防ぎ静電容量を改善した次世代工程で、ＤＲＡＭ半導体の速度を高めながら消費電力を減らすことができる新技術だ。

　被告らはこのほか、サムスン電子と子会社の元社員から入手した図面などを利用して中国輸出用の装置・設備を開発した罪にも問われた。

聯合ニュース

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