【ソウル聯合ニュース】韓国・サムスン電子の元部長と協力会社の元部長が１５日、半導体の中核技術を中国の企業に流出させたとして逮捕された。

　ソウル中央地裁は「証拠隠滅の恐れがある」として検察が請求した逮捕状を発付した。

　検察によるとサムスン電子の元部長は同社の１８ナノＤＲＡＭの製造工程に関する情報を中国半導体大手、長鑫存儲技術（ＣＸＭＴ）の製品開発のために流出させた産業技術保護法違反の容疑が持たれている。半導体の「蒸着」関連技術のほか、七つの中核プロセスに関する資料を渡したという。

　この部長らは２０１６年にＣＸＭＴに転職して技術を流出させ、見返りに数百億ウォン（数十億円）の金品を受け取った疑いが持たれている。また、大金を提示してサムスン電子と関連会社の技術者約２０人を引き抜いたとされる。